基于STM32F407VET6
Flash 结构如下：
— 主存储器块，分为 4 个 16 KB 扇区、1 个 64 KB 扇区和 7 个 128 KB 扇区
— 系统存储器，器件在系统存储器自举模式下从该存储器启动
— 512 字节 OTP（一次性可编程），用于存储用户数据 OTP 区域还有 16 个额外字节，用于锁定对应的 OTP 数据块。
— 选项字节，用于配置读写保护、BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或 停止模式下的复位。
一、CPU 时钟频率与 Flash 读取时间之间的关系
为了准确读取 Flash 数据，必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地编程等待周期数 (LATENCY)。
在本次实验中，我的HCLK为168MHz
二、需要提高 CPU 频率时的操作步骤
（1）将新的等待周期数编程到 FLASH_ACR 寄存器中的 LATENCY 位
（2）通过读取 FLASH_ACR 寄存器，检查新的等待周期是否设置成功
（3）通过改写 RCC_CFGR 寄存器中的 SW 位来修改 CPU 时钟源
（4）如有需要，可通过改写 RCC_CFGR 中的 HPRE 位来修改 CPU 时钟预分频器
（5）通过读取 RCC_CFGR 寄存器中相应的时钟源状态（SWS 位）和/或 AHB 预分频值 （HPRE 位），检查新的 CPU 时钟源和/或新的 CPU 时钟预分频值是否设置成功
DCRST：数据缓存复位
ICRST：指令缓存复位
DCEN：数据缓存使能
ICEN：指令缓存使能
LATENCY：延迟 （周期数）
000：零等待周期
001：一个等待周期
010：两个等待周期
011：三个等待周期
100：四个等待周期
101：五个等待周期
110：六个等待周期
111：七个等待周期
对应代码如下：
/*设置Flash周期数*/
void Flash_Set_Cycle()
{
FLASH->ACR &= ~(FLASH_ACR_ICEN | FLASH_ACR_DCEN); //禁用缓存
FLASH->ACR |= FLASH_ACR_ICRST; // 复位指令缓存
FLASH->ACR |= FLASH_ACR_DCRST; // 复位数据缓存
__NOP(); __NOP(); __NOP(); // 短暂延时
FLASH->ACR |= FLASH_ACR_ICEN | FLASH_ACR_DCEN; // 使能缓存
FLASH->ACR |= 0x05; // 设置五个等待周期
}
三、Flash 控制寄存器解锁
复位后，Flash 控制寄存器 (FLASH_CR) 不允许执行写操作，以防因电气干扰等原因出现对 Flash 的意外操作。此寄存器的解锁顺序如下：
- 在 Flash 密钥寄存器 (FLASH_KEYR) 中写入 KEY1 = 0x45670123
- 在 Flash 密钥寄存器 (FLASH_KEYR) 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB
对应代码如下：
四、上锁
/*解锁*/
void Flash_Unlock()
{
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
__NOP(); __NOP(); __NOP(); // 短暂延时
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
}给FLASH的CR寄存器上的LOCK写1即可
/*上锁*/
void Flash_Lock()
{
FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;
}
五、擦除
把 Flash 的单元从“1”写为“0”时，无需执行擦除操作即可进行连续写操作。
把 Flash 的 单元从“0”写为“1”时，则需要执行 Flash 擦除操作。
如果同时发出擦除和编程操作请求，首先执行擦除操作。
扇区擦除
扇区擦除的具体步骤如下：
（1）检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，以确认当前未执行任何 Flash 操作
（2）在 FLASH_CR 寄存器中，将 SER 位置 1，并从主存储块的 12 个（基于STM32F407） 扇区中选择要擦除 的扇区 (SNB)
（3）将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1
（4）等待 BSY 位清零
/*擦除扇区*/
void Flash_Erase_Sector(uint32_t Sector)
{
if((FLASH->SR & 0x10000) == 0) //判断当前有没有执行Flash 操作
{
FLASH->CR |= 0x02; // 在 FLASH_CR 寄存器中，将SER位置 1
FLASH->CR &= ~(0x78); // 清除SNB位
FLASH->CR |= Sector; // 选择要擦除的扇区
FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT; // 将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1
while((FLASH->SR & 0x10000) != 0); // 等待 BSY 位清零
FLASH->CR &= ~(0x02); // 在擦除完成，将SER位置0
}六、写入
Flash 编程顺序如下：
（1）检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，以确认当前未执行任何 Flash 操作
（2）将 FLASH_CR 寄存器中的 PG 位置 1。
（3）针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作：
并行位数为 x8 时按字节写入
并行位数为 x16 时按半字写入
并行位数为 x32 时按字写入
并行位数为 x64 时按双字写入
（4）等待 BSY 位清零
/*写入*/
void Flash_Write_DataByte(uint32_t address, uint8_t data)
{
cli(); //关闭总中断，防止打断数据写入
Flash_Unlock();
if((FLASH->SR & 0x10000) == 0) //判断当前有没有执行Flash 操作
{
FLASH->CR |= 0x01; // 在 FLASH_CR 寄存器中，将PG位置 1
FLASH->CR &= ~(0x300); // 设置并行位数为8 字节写入
*(__IO uint8_t*)address = data; //写入数据
while((FLASH->SR & 0x10000) != 0); // 等待 BSY 位清零
FLASH->CR &= ~(0x01); // 写入完成，将PG位置0
}
Flash_Lock();
sei(); //开启总中断
}
7、读取
读取很简单，读取指定的地址即可
uint8_t Flash_Read_DataByte(uint32_t address)
{
return *(volatile uint8_t*)address;
}
